产品简介："### 型号应用简介

VBQG2216 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的高密度设计。该器件在 VGS=2.5V 时导通电阻仅为 40mΩ，在 VGS=10V 时进一步降低至 20mΩ，能够有效降低功耗并提升效率。其 VDS 额定值为 -20V，VGS 范围为 ±20V，适用于多种低压、高电流的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**：VBQG2216
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single P 沟道
- **VDS（漏源电压）**：-20V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-0.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **ID（漏极电流）**：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域及模块

1. **便携式电子设备**
VBQG2216 的低导通电阻和紧凑封装使其非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，MOSFET 通常用于电源管理模块，负责电池充放电控制、DC-DC 转换和负载开关等功能。其低功耗特性有助于延长电池寿命。

2. **工业自动化**
在工业自动化领域，VBQG2216 可用于电机驱动模块和电源管理模块。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效驱动小型电机或继电器，同时减少热量产生，提升系统可靠性。