产品简介："### 型号应用简介

**RF4C100BC-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款单P沟道MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种低电压、高电流的应用场景。其负阈值电压（Vthtyp）为 **-0.6V**，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效开关操作。RF4C100BC-VB 的 **VDS** 为 **-20V**，**VGS** 范围为 **±20V**，适合在需要负电压驱动的电路中工作。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：单P沟道
- **VDS（漏源电压）**：-20V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-0.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **ID（漏极电流）**：-10A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
RF4C100BC-VB 适用于低电压电源管理模块，尤其是在需要高效率和高电流承载能力的场合。例如，它可以用于 **DC-DC转换器** 和 **电池保护电路** 中，帮助实现高效的电源转换和电池管理。

2. **电机驱动模块**：
由于其低导通电阻和高电流承载能力，RF4C100BC-VB 非常适合用于 **电机驱动模块**，尤其是在需要负电压驱动的场合。例如，它可以用于 **步进电机** 和 **直流电机** 的驱动电路中，确保电机的高效运行和精确控制。