产品简介："### 型号应用简介

**SiA4265EDJ-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧，适合高密度 PCB 布局，广泛应用于便携式设备和紧凑型模块中。

- **沟道类型**：Single-P (N 沟道)
N 沟道 MOSFET 适用于需要低导通电阻和高开关速度的应用。

- **VDS**：-20V
该器件适用于低电压应用，如电池供电设备和低压电源系统。

- **VGS**：±20V
宽范围的栅极电压允许灵活的设计，适用于多种驱动电路。

- **Vthtyp**：-0.6V
低阈值电压使得该器件在低电压下也能高效工作，适合低功耗应用。

- **导通电阻**：
- VGS=2.5V：40(mΩ)
- VGS=4.5V：28(mΩ)
- VGS=10V：20(mΩ)


- **ID**：-10A


- **技术**：Trench


### 应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
SiA4265EDJ-VB 的小封装和低导通电阻使其非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。其高效能有助于延长电池寿命。

2. **低压电源系统**
该器件适用于低压 DC-DC 转换器和电池保护电路，特别是在需要高效率和紧凑设计的场景中。

3. **电机驱动模块**
在小型电机驱动应用中，SiA4265EDJ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力可以显著降低功率损耗，提高系统效率。