产品简介："### 型号应用简介

SiA429DJT-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **型号名称**: SiA429DJT-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=2.5V: 40mΩ
- VGS=4.5V: 28mΩ
- VGS=10V: 20mΩ
- **漏极电流 (ID)**: -10A
- **技术**: Trench

### 应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
SiA429DJT-VB 的低导通电阻和低阈值电压使其非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，MOSFET 通常用于电源管理模块，负责电池充放电控制和电源开关功能。其小尺寸封装（DFNWB2×2-6L）特别适合空间受限的便携设备。

2. **工业自动化**
在工业自动化领域，SiA429DJT-VB 可以用于电机驱动模块和电源转换模块。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高系统效率，减少能量损耗。例如，在小型电机驱动器中，该 MOSFET 可以用于控制电机的启停和速度调节。