产品简介："### 型号应用简介

SiA461DJ-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装设计紧凑，适合空间受限的应用场景，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-P
该器件为单 P 沟道 MOSFET，适用于需要负电压驱动的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：-20V
该器件能够承受的最大漏源电压为 -20V，适用于低电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围为 ±20V，提供了较大的驱动电压范围，增强了器件的灵活性。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-0.6V
典型的阈值电压为 -0.6V，表明该器件在较低的栅源电压下即可导通，适合低功耗应用。

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
导通电阻随栅源电压的增加而降低，表明该器件在高驱动电压下具有更低的导通损耗。

- **ID（漏极电流）**：-10A


- **技术**：Trench


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
SiA461DJ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，特别是在需要高效能量转换的场合。例如，它可以用于 DC-DC 转换器中的同步整流电路，以提高整体转换效率。

2. **电池保护电路**
在电池保护电路中，SiA461DJ-VB 可以作为电池放电保护开关使用。其低阈值电压和低导通电阻确保了在电池放电过程中能够有效降低能量损耗，延长电池寿命。