产品简介："### 型号应用简介

**SQA409CEJW-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧，适合高密度 PCB 布局，适用于便携式设备和紧凑型模块设计。

- **沟道类型**：Single P-Channel
该器件为单 P 沟道 MOSFET，适用于负电压驱动的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：-20V
最大漏源电压为 -20V，适合低压应用场景。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围为 ±20V，提供宽泛的驱动电压选择。

- **Vth（阈值电压）**：-0.6V
阈值电压为 -0.6V，适合低电压驱动的应用。

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID（漏极电流）**：-10A


- **技术**：Trench

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### 应用领域及模块

1. **便携式设备电源管理**
SQA409CEJW-VB 的低导通电阻和小封装使其非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。其低阈值电压和高效性能有助于延长电池寿命。

2. **DC-DC 转换器**
该器件可用于同步整流 DC-DC 转换器，特别是在低压输入（如 5V 或 12V）的降压转换器中，能够显著提高转换效率。