产品简介："### 型号应用简介

**SQA413CEJW-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧（2mm × 2mm），适合高密度 PCB 设计，尤其适用于空间受限的便携式设备。

- **沟道类型**：Single P-Channel
单 P 沟道设计，适合需要负电压驱动的应用场景。

- **VDS（漏源电压）**：-20V
最大漏源电压为 -20V，适用于低压电源管理和开关电路。

- **VGS（栅源电压）**：±20V


- **Vth（阈值电压）**：-0.6V
低阈值电压使其在低电压驱动下即可开启，适合低功耗应用。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID（漏极电流）**：-10A


- **技术**：Trench

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### 应用领域及模块

1. **便携式电子设备**
- **应用模块**：电池保护电路、电源管理模块
- **说明**：SQA413CEJW-VB 的低导通电阻和小封装尺寸使其非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池保护电路和电源管理模块，能够有效延长电池寿命并减少发热。

2. **工业自动化**
- **应用模块**：电机驱动、继电器控制
- **说明**：在工业自动化设备中，该 MOSFET 可用于电机驱动和继电器控制电路，其高电流承载能力和低导通电阻确保了高效能和可靠性。