产品简介："### 型号应用简介

AP2P028EN2-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景，尤其是在电源管理、电池保护和负载开关等领域表现优异。其低阈值电压和优异的开关特性使其在低电压、高电流的应用中具有显著优势。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AP2P028EN2-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single P-Channel
- **VDS (漏源电压)**: -20V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vth (阈值电压)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=2.5V: 40mΩ
- VGS=4.5V: 28mΩ
- VGS=10V: 20mΩ
- **ID (漏极电流)**: -10A
- **技术**: Trench

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### 应用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
AP2P028EN2-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配单元。其低阈值电压和高效率特性能够显著降低功耗，提升系统整体性能。

2. **电池保护电路**
在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，AP2P028EN2-VB 可用于电池保护电路，防止过充、过放和短路。其高可靠性和快速响应特性能够有效延长电池寿命并确保设备安全。