产品简介："### 型号应用简介

PMPB07R3VP-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和小尺寸的电源管理和开关应用。其宽范围的 VGS 和 VDS 参数使其在多种电压条件下表现优异，特别适合低电压、高电流的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L

- **沟道类型**：Single-P（单 P 沟道）


- **VDS（漏源电压）**：-20V




- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-0.6V


- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID（漏极电流）**：-10A

- **技术**：Trench（沟槽技术）

### 应用领域和模块

1. **电源管理模块**
PMPB07R3VP-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器和电池管理系统。其小尺寸封装也适合便携式设备中的电源管理。

2. **电机驱动模块**
该器件的高电流承载能力和低导通电阻使其适合用于电机驱动模块，特别是在需要高效率和小尺寸的场合，如无人机、机器人等。

3. **LED 驱动模块**
在 LED 驱动模块中，PMPB07R3VP-VB 可以提供高效的电源转换和稳定的电流输出，适合用于高亮度 LED 的驱动电路。