产品简介："### 型号应用简介

PMPB08R4VP-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single-P (N 沟道)


- **VDS**：-20V


- **VGS**：±20V


- **Vthtyp**：-0.6V


- **RDS(on)**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID**：-10A


- **技术**：Trench


---

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
PMPB08R4VP-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，该 MOSFET 可用于电池管理系统的电源开关，以提高能效并延长电池寿命。

2. **电机驱动模块**
由于其高开关速度和低导通电阻，该器件可用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制电路。例如，在无人机中，PMPB08R4VP-VB 可用于驱动无刷直流电机，实现高效能和小尺寸设计。

3. **LED 驱动模块**
在 LED 照明系统中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的高效和稳定工作。例如，在智能照明系统中，PMPB08R4VP-VB 可用于 PWM 调光电路，实现精确的亮度控制。