产品简介："### 型号应用简介

**PMPB11R2VP-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和开关应用。其低阈值电压和宽工作电压范围使其在多种电子设备中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-P（单 P 沟道）
- **VDS（漏源电压）**：-20V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-0.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **ID（漏极电流）**：-10A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：PMPB11R2VP-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、电池充电器和电源开关。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源设计中表现出色。
- **模块**：DC-DC 转换器模块、电池管理系统（BMS）模块。

2. **便携式电子设备**：
- **应用**：由于其低阈值电压和小封装尺寸，PMPB11R2VP-VB 非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。这些设备需要高效的电源管理和紧凑的设计。
- **模块**：便携式设备电源管理模块、USB 充电模块。