产品简介："### 型号应用简介

**PMPB12R5UPE-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款单P沟道MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：单P沟道
- **漏源电压（VDS）**：-20V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：-0.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **漏极电流（ID）**：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：PMPB12R5UPE-VB 适用于各种电源管理模块，如DC-DC转换器、电池保护电路和电源开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其在这些应用中能够有效降低功耗，提升系统效率。
- **模块示例**：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中，该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池在过充或过放情况下得到有效保护。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：在电机驱动模块中，PMPB12R5UPE-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和低导通电阻使其在电机驱动应用中表现出色，尤其是在需要高效能和小尺寸的场合。
- **模块示例**：在无人机或机器人中，该MOSFET可用于电机驱动模块，确保电机在各种负载条件下稳定运行。