产品简介："### 型号应用简介

**PMPB19R0UPE-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和小尺寸设计的应用场景。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single P-Channel


- **VDS（漏源电压）**：-20V


- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围宽，适应性强，可在多种驱动条件下稳定工作。

- **Vth（阈值电压）**：-0.6V
低阈值电压使其在低电压驱动条件下也能高效导通，适合低功耗应用。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID（漏极电流）**：-10A


- **技术**：Trench


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### 应用领域及模块

1. **便携式设备**
PMPB19R0UPE-VB 的低阈值电压和小封装尺寸使其非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。例如，在电池保护电路中，它可以有效控制充放电过程，确保设备安全运行。

2. **电源管理**
该器件可用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配模块。其低导通电阻和高电流能力有助于减少能量损耗，提高电源系统的整体效率。

3. **电机控制**
在小型电机驱动模块中，PMPB19R0UPE-VB 可以用于控制电机的启停和方向。其快速开关特性和低功耗表现使其在无人机、机器人等领域的电机控制中具有优势。