产品简介："### 型号应用简介

**BUK4D38-20P-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度电路板设计。

- **沟道类型**：Single-P（单 P 沟道）
适用于需要 P 沟道 MOSFET 的电路设计，特别是在低电压应用中。

- **VDS（漏源电压）**：-20V
该器件适用于最大漏源电压为 20V 的应用场景。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围为 ±20V，提供了较高的驱动灵活性。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-0.6V


- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID（漏极电流）**：-10A


- **技术**：Trench（沟槽技术）


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
BUK4D38-20P-VB 适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效电源管理系统中表现出色。

2. **电机驱动模块**
在低电压电机驱动应用中，如无人机、机器人和小型电动工具，该 MOSFET 能够提供高效的功率转换和可靠的性能。

3. **电池保护模块**
由于其低阈值电压和高电流能力，BUK4D38-20P-VB 非常适合用于电池保护电路，如锂电池保护板和电池管理系统（BMS）。