产品简介："### 型号应用简介

BUK4D50-30P-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率、低功耗的应用场景。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single-P（单 P 沟道）
适用于需要 P 沟道 MOSFET 的电路设计，如电源管理、负载开关等。

- **VDS**：-20V


- **VGS**：±20V


- **Vthtyp**：-0.6V


- **RDS(on)**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ


- **ID**：-10A


- **技术**：Trench（沟槽技术）


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### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
BUK4D50-30P-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池保护电路和负载开关等电源管理模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，可用于电池充放电管理，提高能效并延长电池寿命。

2. **电机驱动模块**
在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制，该 MOSFET 能够提供高效的开关性能，降低功耗并提高系统可靠性。

3. **LED 驱动模块**
由于其低导通电阻和高开关频率特性，BUK4D50-30P-VB 可用于 LED 驱动电路，确保稳定的电流输出并减少能量损耗，适用于照明设备和显示背光模块。