产品简介："### 型号应用简介

PMPB13UP-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种需要高效能开关和功率管理的应用场景，特别是在低电压、高电流环境下表现出色。其紧凑的 DFNWB2×2-6L 封装使其非常适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: PMPB13UP-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single-P（单 P 沟道）
- **VDS（漏源电压）**: -20V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**: -0.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**:
- VGS=2.5V: 40mΩ
- VGS=4.5V: 28mΩ
- VGS=10V: 20mΩ
- **ID（漏极电流）**: -10A
- **技术**: Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
PMPB13UP-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，尤其是在需要高效能开关的 DC-DC 转换器和负载开关中。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理电路中，该器件可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电池保护电路**
由于其低阈值电压和优异的导通特性，PMPB13UP-VB 可用于电池保护电路，特别是在锂离子电池组中。它能够在电池过充或过放时快速切断电路，保护电池免受损坏，同时减少能量损耗。