产品简介："### 型号应用简介

**PMPB29XPEA-VB** 是由 **VBsemi** 推出的单P沟道MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效功率管理的应用场景。其宽泛的栅极电压范围和低阈值电压使其在低电压驱动电路中表现出色。此外，该MOSFET采用先进的Trench技术，进一步提升了其性能和可靠性。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-20V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：-0.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **漏极电流 (ID)**：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：PMPB29XPEA-VB 适用于各种电源管理模块，如DC-DC转换器、电池保护电路和负载开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效电源转换中表现出色。
- **模块示例**：在便携式设备中，该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池在过充或过放情况下得到有效保护。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：在电机驱动模块中，PMPB29XPEA-VB 可用于控制电机的启动、停止和方向。其低阈值电压和宽栅极电压范围使其在低电压驱动电路中表现优异。
- **模块示例**：在小型无人机或机器人中，该MOSFET可用于驱动电机，实现精确的速度和方向控制。