产品简介："### 型号应用简介

**PMPB43XPEA-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种需要高效功率管理的应用场景。其优异的电气特性使其在低电压、高电流的电路中表现出色，特别适合用于便携式设备、电源管理模块和电池保护电路等领域。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：-20V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：-0.6V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **漏极电流 (ID)**：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **便携式设备**：
- **应用场景**：智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等。
- **模块**：电池管理模块、电源开关模块。
- **说明**：PMPB43XPEA-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在便携式设备的电池管理模块中表现出色，能够有效延长电池寿命并提高设备的整体效率。

2. **电源管理模块**：
- **应用场景**：DC-DC 转换器、负载开关、电源分配模块。
- **模块**：电源管理 IC、负载开关模块。
- **说明**：在电源管理模块中，PMPB43XPEA-VB 的低导通电阻和高开关速度能够显著降低功耗，提高电源转换效率，适用于高效率的 DC-DC 转换器和负载开关应用。