产品简介："### 型号应用简介

**NTLUS3C18PZTAG-VB** 是由 **VBsemi** 推出的一款高性能 **Single P-Channel MOSFET**，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种需要高效能开关和功率管理的应用场景。其 **VDS** 为 **-20V**，**VGS** 范围为 **±20V**，**Vthtyp** 为 **-0.6V**，能够在低电压下实现高效开关操作。该 MOSFET 采用 **Trench** 技术，进一步提升了其性能和可靠性。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single P-Channel
- **VDS**（漏源电压）：-20V
- **VGS**（栅源电压）：±20V
- **Vthtyp**（阈值电压）：-0.6V
- **导通电阻**：
- VGS=2.5V：40mΩ
- VGS=4.5V：28mΩ
- VGS=10V：20mΩ
- **ID**（漏极电流）：-10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **NTLUS3C18PZTAG-VB** 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **电源开关** 模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够在高效率的电源管理系统中发挥重要作用，尤其是在需要低功耗和高可靠性的便携式设备中。

2. **电池保护电路**：
- 在 **锂电池保护模块** 中，该 MOSFET 可用于 **过充保护** 和 **过放保护** 电路。其低阈值电压和快速开关特性使其能够在电池管理系统中实现精确的电压控制和保护功能。