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常规产品

NTLUS3A39PZTAG-VB

产品简介:"### 型号应用简介

NTLUS3A39PZTAG-VB 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET,采用 DFNWB2×2-6L 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**:DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧(2mm × 2mm),适合空间受限的应用,同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**:Single P-Channel
单 P 沟道设计,适用于需要负电压驱动的电路。

- **VDS(漏源电压)**:-20V

- **VGS(栅源电压)**:±20V


- **Vthtyp(阈值电压)**:-0.6V


- **RDS(on)(导通电阻)**:
- VGS=2.5V:40mΩ
- VGS=4.5V:28mΩ
- VGS=10V:20mΩ


- **ID(漏极电流)**:-10A


- **技术**:Trench

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NTLUS3A39PZTAG-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池保护电路。例如,在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中,可用于电池充放电管理和电源路径控制。

2. **电机驱动模块**
在小型电机驱动应用中,如无人机、机器人或家用电器,该 MOSFET 可以用于 H 桥电路中的低侧开关,提供高效的电流控制和热管理。

3. **LED 驱动模块**
由于其低阈值电压和低导通电阻,该器件可用于 LED 驱动电路,特别是在需要高效率和紧凑设计的场景中,如汽车照明或背光模块。