产品简介："### 型号应用简介

**RF4E110GN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，适用于多种低电压、高电流的应用场景。
---

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于低侧开关和电源管理应用。

- **漏源电压（VDS）**：30V
适合低电压应用场景，如电池供电设备、便携式电子产品等。

- **栅源电压（VGS）**：±20V
支持宽范围的栅极驱动电压，兼容多种控制电路。



- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ

- **漏极电流（ID）**：10A

- **技术**：Trench

---

### 应用领域及模块

1. **便携式电子设备**
RF4E110GN-VB 的低导通电阻和低阈值电压使其非常适合用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理模块。它可以用于电池保护电路、DC-DC 转换器和负载开关，帮助延长电池寿命并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在小型电机驱动应用中（如无人机、机器人、电动工具），RF4E110GN-VB 的高电流承载能力和低导通电阻能够有效降低功率损耗，提升电机驱动效率。其紧凑的封装也适合集成到空间受限的电机控制模块中。

3. **LED 驱动电路**
该器件可用于 LED 驱动模块，特别是在需要高效率和高可靠性的场景中。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少 LED 驱动器的功耗，同时确保稳定的电流输出。