产品简介："### 型号应用简介

**RF4E110BN-VB** 是由 **VBsemi** 推出的单N沟道MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效能和小尺寸的电源管理和开关应用。其低阈值电压（Vthtyp=1.5V）和宽工作电压范围（VDS=30V，VGS=±20V）使其在多种低压、高电流场景中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.5V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：21mΩ
- VGS=10V时：17mΩ
- **漏极电流（ID）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：RF4E110BN-VB 适用于DC-DC转换器、电池充电器和电源适配器等电源管理模块。其低导通电阻和高电流处理能力有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。
- **模块示例**：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理模块中，该MOSFET可用于同步整流和负载开关，确保设备在低功耗模式下仍能高效运行。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动模块中，RF4E110BN-VB 可用于控制小型直流电机或步进电机的开关。其低阈值电压和快速开关特性使其在电机控制中表现出色，适用于需要精确控制的场景。
- **模块示例**：在无人机、机器人或家用电器（如吸尘器、电动工具）的电机驱动模块中，该MOSFET可用于驱动电机，确保设备在不同负载条件下稳定运行。