产品简介："### 型号应用简介

**RF4E100AJ-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高效率和低功耗的应用场景。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧（2×2 mm），适合高密度 PCB 布局，同时具有良好的散热性能，适合紧凑型设计。

- **沟道类型**：Single-N

- **VDS（漏源电压）**：30V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：21 mΩ
- VGS=10V 时：17 mΩ


- **技术**：Trench


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### 应用领域及模块示例

1. **便携式电子设备**
RF4E100AJ-VB 的低导通电阻和低阈值电压使其非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理模块。例如，在电池充电管理电路中，它可以作为低侧开关，实现高效的能量转换和低功耗运行。

2. **DC-DC 转换器**
在同步整流和降压/升压转换器中，该 MOSFET 能够提供高效的开关性能，减少能量损耗。例如，在 12V 转 5V 的 DC-DC 模块中，它可以作为主开关管，实现高效率的电压转换。

3. **电机驱动模块**
由于其高电流承载能力和低导通电阻，RF4E100AJ-VB 非常适合用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制电路。例如，在无人机电调（ESC）模块中，它可以作为功率开关管，实现精确的电机控制。