产品简介："### 型号应用简介

**RF4E080GN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single-N


- **VDS（漏源电压）**：30V




- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID（漏极电流）**：10A

- **技术**：Trench

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### 应用领域与模块举例

1. **便携式设备**
- **应用场景**：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
- **模块**：电池管理模块、DC-DC 转换器。
- **说明**：RF4E080GN-VB 的低导通电阻和低阈值电压使其在便携式设备的电源管理中表现出色，能够有效延长电池寿命并提高系统效率。

2. **电源模块**
- **应用场景**：服务器电源、工业电源、适配器等。
- **模块**：同步整流模块、负载开关模块。
- **说明**：该器件的高电流承载能力和低导通电阻使其成为电源模块中的理想选择，能够显著降低功率损耗并提高系统可靠性。

3. **电机驱动**
- **应用场景**：无人机、机器人、电动工具等。
- **模块**：电机驱动模块、H 桥电路。
- **说明**：RF4E080GN-VB 的高电流能力和快速开关特性使其在电机驱动应用中表现出色，能够实现高效、精准的电机控制。