产品简介："### 型号应用简介

VBQG1317 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的应用场景。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻仅为 21mΩ，在 VGS=10V 时进一步降低至 17mΩ，能够有效降低功耗并提升系统效率。其 VDS 为 30V，VGS 支持 ±20V，Vthtyp 为 1.5V，适合中低压应用场景。VBQG1317 的 ID 为 10A，能够满足多种高电流需求。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**：VBQG1317
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ
- **ID（漏极电流）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
VBQG1317 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于电源管理模块，如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关。其高效的性能可以显著降低功耗，提升电源系统的整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，VBQG1317 能够提供稳定的高电流输出，适用于小型电机、风扇和泵的驱动电路。其低导通电阻可以减少发热，延长电机寿命。