产品简介："### 型号应用简介

AP6980GN2-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的应用场景。该器件在 VGS=4.5V 时的导通电阻仅为 21mΩ，而在 VGS=10V 时进一步降低至 17mΩ，使其在高效率电源管理和功率开关应用中表现出色。其 VDS 为 30V，VGS 范围为 ±20V，Vthtyp 为 1.5V，适合中低压应用。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AP6980GN2-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single-N
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vthtyp (典型阈值电压)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V: 21mΩ
- VGS=10V: 17mΩ
- **ID (最大漏极电流)**: 10A
- **技术**: Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
AP6980GN2-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池保护电路等电源管理模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理系统中，该器件可以有效降低功耗，延长电池寿命。

2. **电机驱动模块**
在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制模块，AP6980GN2-VB 可以提供高效的功率开关功能。其低导通电阻和高电流能力有助于减少热量产生，提高系统可靠性。