产品简介："### 型号应用简介

**BUK4D60-30-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧，适合高密度 PCB 布局，适用于便携式设备和紧凑型模块。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于低侧开关和电源管理应用。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适用于低压电源系统，如 12V 或 24V 电源管理。

- **VGS（栅源电压）**：±20V


- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V


- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID（漏极电流）**：10A


- **技术**：Trench

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
BUK4D60-30-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池保护电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源设计中表现出色，尤其是在便携式设备（如笔记本电脑、智能手机）和工业电源系统中。

2. **电机驱动模块**
该 MOSFET 可用于低功率电机驱动，如风扇、小型泵和机器人关节驱动。其快速开关特性和低功耗使其在 PWM 控制的电机驱动中表现优异。

3. **负载开关模块**
在需要快速开关和高可靠性的负载开关应用中，如 LED 驱动、继电器控制和电源分配系统，BUK4D60-30-VB 是一个理想选择。其低阈值电压和紧凑封装使其适合高密度 PCB 设计。