产品简介："### 型号应用简介

**BUK6D16-30E-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single-N


- **VDS（漏源电压）**：30V


- **VGS（栅源电压）**：±20V




- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on) 为 21mΩ
- VGS=10V 时，RDS(on) 为 17mΩ


- **ID（漏极电流）**：10A


- **技术**：Trench


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### 应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
由于其小尺寸封装和低导通电阻，BUK6D16-30E-VB 非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。例如，在电池充电电路或 DC-DC 转换器中，它可以有效降低功耗并延长电池寿命。

2. **工业自动化**
在工业控制系统中，该器件可用于电机驱动模块或低侧开关电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其在频繁开关和高负载条件下表现优异。

3. **汽车电子**
在汽车电子领域，BUK6D16-30E-VB 可用于 LED 驱动模块、车身控制模块（BCM）或低压电源分配系统。其耐压和耐温特性使其能够适应汽车环境的严苛要求。