产品简介："### 型号应用简介

**BUK6D38-30E-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于需要高效率和高功率密度的应用场景，如电源管理、电机驱动、电池保护等。其紧凑的 DFNWB2×2-6L 封装使其非常适合空间受限的设计，同时提供优异的散热性能。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: BUK6D38-30E-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
BUK6D38-30E-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，该器件可用于提高电源转换效率，延长电池寿命。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如无人机、机器人、电动工具等，BUK6D38-30E-VB 的高电流能力和快速开关特性可以有效驱动电机，同时减少功率损耗。其紧凑的封装也适合集成到小型电机驱动模块中。