产品简介："### 型号应用简介

**PMPB10EN-VB** 是由 **VBsemi** 推出的一款高性能 **Single-N** 沟道 MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **典型阈值电压（Vthtyp）**：1.5V
- **导通电阻（VGS=4.5V）**：21mΩ
- **导通电阻（VGS=10V）**：17mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：PMPB10EN-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压（Buck）和升压（Boost）转换器中表现优异，能够有效降低功耗并提高系统效率。
- **模块示例**：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理模块中，PMPB10EN-VB 可以用于电池充电管理、电压调节和电源分配等关键功能。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该 MOSFET 适用于低电压电机驱动模块，特别是在需要高效率和快速响应的场合。其低导通电阻和高电流能力使其在驱动小型直流电机（如风扇、泵、玩具电机）时表现出色。
- **模块示例**：在家用电器（如扫地机器人、电动工具）的电机驱动模块中，PMPB10EN-VB 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。