产品简介："### 型号应用简介

**PMPB10XN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L

- **沟道类型**：Single-N


- **VDS**：30V


- **VGS**：±20V


- **Vthtyp**：1.5V


- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID**：10A
最大漏极电流为 10A，适合高电流应用，如电机驱动和电源管理。

- **技术**：Trench
采用 Trench 技术，进一步优化了导通电阻和开关性能。

### 应用领域与模块

1. **便携式电子设备**
由于其小封装和低导通电阻，PMPB10XN-VB 非常适合用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。例如，在电池充电和放电电路中，该器件可以有效减少能量损耗，延长电池寿命。

2. **DC-DC 转换器**
在 DC-DC 转换器中，PMPB10XN-VB 可以作为开关器件，用于降压或升压电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能量转换中表现出色，适用于笔记本电脑、服务器和工业电源模块。

3. **电机驱动**
该器件适合用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人和其他自动化设备中的电机控制电路。其高电流能力和快速开关特性可以确保电机的高效运行和精确控制。