产品简介："### 型号应用简介

**PMPB13XNE-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的应用场景。其低 Vth（阈值电压）和宽 VGS（栅源电压）范围使其在多种电源管理和开关电路中表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：21mΩ
- VGS=10V：17mΩ
- **ID（漏极电流）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：PMPB13XNE-VB 适用于 DC-DC 转换器、电池保护电路和负载开关等电源管理模块。
- **优势**：其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高电源效率，减少能量损耗。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 可用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人、电动工具等。
- **优势**：低 Vth 和宽 VGS 范围使其在低电压和高电压环境下均能稳定工作，适合多种电机控制需求。

3. **LED 驱动模块**：
- **应用**：PMPB13XNE-VB 适用于 LED 驱动电路，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。
- **优势**：其低导通电阻有助于减少热损耗，提高 LED 驱动的整体效率。