产品简介："### 型号应用简介

**PMPB13XNEA-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装
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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸（2mm × 2mm），适合空间受限的设计，同时提供良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-N



- **VGS（栅源电压）**：±20V


- **Vth（阈值电压）**：1.5V（典型值）

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ

- **ID（漏极电流）**：10A

- **技术**：Trench

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### 应用领域与模块示例

1. **电源管理模块**
PMPB13XNEA-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理电路中，该器件可以有效降低功耗并提高效率。

2. **电机驱动模块**
在低压电机驱动应用中，如无人机、机器人或小型电动工具，PMPB13XNEA-VB 可以提供高效的功率控制和快速开关性能，确保电机运行的稳定性和响应速度。

3. **LED 驱动模块**
该器件适用于 LED 驱动电路，尤其是在需要高效率和精确电流控制的场景中。例如，在汽车照明或工业照明系统中，PMPB13XNEA-VB 可以帮助实现高效的 LED 驱动和调光功能。