产品简介："### 型号应用简介

PMPB15ENE-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力以及优异的开关性能，适用于多种高效率和低功耗的应用场景。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single-N


- **VDS（漏源电压）**：30V


- **VGS（栅源电压）**：±20V


- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V


- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID（漏极电流）**：10A
高电流承载能力，适合大电流应用。

- **技术**：Trench


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
PMPB15ENE-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）和电源适配器等电源管理模块。在这些应用中，MOSFET 的高效开关性能可以显著降低功耗，提升整体系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，PMPB15ENE-VB 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流能力和低导通电阻确保了电机在运行时的稳定性和高效性，适用于无人机、电动工具和家用电器等设备。

3. **LED 驱动模块**
该 MOSFET 也适用于 LED 驱动模块，特别是在需要精确控制 LED 亮度和颜色的场景中。其低阈值电压和快速开关特性使其能够高效地调节 LED 的电流，适用于智能照明系统和汽车照明。