产品简介："### 型号应用简介

**PMPB25ENE-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸和优异的散热性能，适合高密度电路设计。

- **沟道类型**：Single-N（单N沟道）
适用于需要单向电流控制的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适合低压和中压应用场景，如电池供电设备和低压电源模块。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
提供宽范围的栅极驱动电压，适应多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V


- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID（最大漏极电流）**：10A


- **技术**：Trench（沟槽技术）


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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
PMPB25ENE-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 **DC-DC 转换器** 和 **电压调节模块**。例如，在便携式设备（如笔记本电脑、智能手机）的电源管理电路中，该器件可以有效降低功耗并提高效率。

2. **电池保护电路**
由于其低阈值电压和宽 VGS 范围，PMPB25ENE-VB 可用于 **锂电池保护模块**，确保电池在充放电过程中的安全性和稳定性。

3. **电机驱动模块**
在低压电机驱动应用中（如无人机、机器人、电动工具），该 MOSFET 可以提供高效的功率控制和快速开关性能，减少热量产生并延长设备寿命。