产品简介："### 型号应用简介

**PMPB29XNE-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种需要高效能开关和功率管理的应用场景。其优异的电气特性和紧凑的封装设计使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：21 mΩ
- VGS=10V 时：17 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：PMPB29XNE-VB 适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS) 和电源适配器。
- **优势**：低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗并提高效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 可用于无刷直流电机 (BLDC) 和有刷直流电机的驱动电路。
- **优势**：高 VDS 和低 RDS(on) 使其在电机驱动模块中能够提供稳定的电流输出，确保电机运行的可靠性和效率。

3. **LED 驱动模块**：
- **应用**：适用于 LED 照明系统的驱动电路，如 LED 路灯、室内照明和汽车照明。
- **优势**：低阈值电压和低导通电阻使其在 LED 驱动模块中能够实现精确的电流控制，延长 LED 寿命并提高能效。