产品简介："### 型号应用简介

**PMPB29XNEA-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 **DFNWB2×2-6L** 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。
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### 产品详细参数说明

- **型号名称**：PMPB29XNEA-VB
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ
- **ID（漏极电流）**：10A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
PMPB29XNEA-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 **DC-DC 转换器** 和 **电源管理模块**。例如，在移动设备、笔记本电脑和便携式电子设备的电源系统中，该 MOSFET 可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
由于其高电流特性和快速开关性能，PMPB29XNEA-VB 可用于 **电机驱动模块**，如无人机、机器人、电动工具等领域的电机控制电路。其低导通电阻有助于减少热量产生，延长设备使用寿命。

3. **电池保护电路**
在锂电池保护电路中，PMPB29XNEA-VB 可以作为开关元件，用于过充、过放和短路保护。其低阈值电压（1.5V）和高效能特性使其在低电压环境下表现优异，适合用于移动电源、电动自行车等电池管理系统。