产品简介："### 型号应用简介

**PMPB50ENE-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于多种高效率和低功耗的应用场景。其优异的电气特性使其在电源管理、电机驱动、电池保护等领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.5V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：21 mΩ
- VGS=10V 时：17 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：PMPB50ENE-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高转换效率，减少能量损耗。
- **举例**：在笔记本电脑的电源适配器中，该 MOSFET 可用于同步整流电路，提高整体电源效率，延长电池续航时间。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，PMPB50ENE-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低导通电阻确保电机运行平稳，减少发热。
- **举例**：在无人机或电动工具中，该 MOSFET 可用于驱动无刷直流电机，提供高效、可靠的动力输出。

3. **电池保护模块**：
- **应用**：在电池管理系统中，PMPB50ENE-VB 可用于电池的充放电保护电路。其低导通电阻有助于减少能量损耗，延长电池寿命。