产品简介："### 型号应用简介

**PMPB07R3EN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件封装为 DFNWB2×2-6L，适用于空间受限的应用场景。其低 Vth 和优异的开关特性使其在高效能电源管理和功率转换领域表现出色。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**：Single-N
- **VDS（漏源电压）**：30V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：21mΩ
- VGS=10V：17mΩ
- **ID（漏极电流）**：10A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理。
- **优势**：低导通电阻和高电流承载能力使得该 MOSFET 在电源管理模块中能够有效降低功耗，提升整体效率。

2. **DC-DC 转换器**：
- **应用场景**：服务器、通信设备、工业控制系统的 DC-DC 转换器。
- **优势**：优异的开关特性和低 Vth 使得该器件在 DC-DC 转换器中能够实现高效能的电压转换，适用于高频率开关应用。

3. **电池保护电路**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、电动自行车等电池供电设备的保护电路。
- **优势**：高 VDS 和低 RDS(ON) 使得该 MOSFET 在电池保护电路中能够有效防止过充和过放，延长电池寿命。