产品简介："### 型号应用简介

**PMPB08R5XN-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装尺寸小巧（2mm × 2mm），适合空间受限的设计，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Single-N（单 N 沟道）
适用于低侧开关和同步整流等应用。

- **VDS（漏源电压）**：30V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：21mΩ
- VGS=10V 时：17mΩ


- **ID（最大漏极电流）**：10A

- **技术**：Trench（沟槽技术）



### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
- **应用场景**：DC-DC 转换器、同步整流、负载开关。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力使其在电源转换中减少能量损耗，提高效率。
- **典型模块**：用于笔记本电脑、服务器电源模块中的同步整流 MOSFET。

2. **电机驱动模块**
- **应用场景**：无人机、机器人、电动工具中的电机驱动。
- **优势**：低 Vth 和高电流能力使其在低电压驱动下仍能提供稳定的性能。
- **典型模块**：用于小型无刷直流电机（BLDC）驱动器的低侧开关。