产品简介："### 型号应用简介

**PMPB10R3XN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于低侧开关和电源管理应用。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适用于低压电源系统，如 12V 或 24V 电源管理。

- **VGS（栅源电压）**：±20V




- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：21mΩ
- VGS=10V：17mΩ


- **ID（漏极电流）**：10A


- **技术**：Trench
沟槽技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度。

### 应用领域与模块

1. **便携式设备**
PMPB10R3XN-VB 的低阈值电压和低导通电阻使其非常适合用于智能手机、平板电脑和便携式医疗设备等电池供电设备。在这些设备中，MOSFET 通常用于电源管理和电池保护电路。

2. **DC-DC 转换器**
由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件非常适合用于 DC-DC 转换器模块，尤其是在需要高效率和高功率密度的场合，如服务器电源和工业电源系统。

3. **电机驱动**
在低电压电机驱动应用中，如无人机、机器人和小型电动工具，PMPB10R3XN-VB 可以提供高效的开关性能，减少功率损耗，延长电池寿命。