产品简介："### 型号应用简介

**PMPB16R5XNE-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 DFNWB2×2-6L 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高效率和低功耗的应用场景。其设计优化了功率转换效率，特别适合需要高可靠性和紧凑尺寸的模块设计。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFNWB2×2-6L


- **沟道类型**：Single-N


- **VDS（漏源电压）**：30V


- **VGS（栅源电压）**：±20V


- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.5V


- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时，RDS(on) = 21mΩ
- VGS=10V 时，RDS(on) = 17mΩ


- **ID（漏极电流）**：10A
。

- **技术**：Trench

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
PMPB16R5XNE-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等电源管理模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）的电源管理系统中，它可以有效降低功耗并提高效率。

2. **电机驱动模块**
由于其高电流承载能力和快速开关特性，该 MOSFET 可用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制电路。

3. **LED 驱动模块**
在 LED 照明系统中，PMPB16R5XNE-VB 可用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出并减少热损耗，延长 LED 寿命。