产品简介："### 型号应用简介

VBQG1201K 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 DFNWB2×2-6L，体积小巧，适合高密度 PCB 布局。该器件适用于中低功率开关应用，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: VBQG1201K
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFNWB2×2-6L
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 3.0V
- **导通电阻 (RDS(on))**: 1200mΩ（VGS=10V）
- **漏极电流 (ID)**: 2.8A
- **技术**: Trench

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
VBQG1201K 的低导通电阻和高开关速度使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和开关电源模块中。在这些应用中，MOSFET 需要快速切换以降低功耗并提高效率。例如，在笔记本电脑适配器或 LED 驱动电源中，VBQG1201K 可以有效减少能量损耗，提升整体性能。

2. **电机驱动模块**
在小型电机驱动模块中，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制，VBQG1201K 可以提供高效的功率开关功能。其 200V 的耐压能力和 2.8A 的电流能力足以驱动小型直流电机或步进电机，同时其紧凑的封装形式适合空间受限的设计。