产品简介："### 型号应用简介

VBA4610N 是 VBsemi 公司推出的一款双 P 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，具有低导通电阻和高耐压特性。其 VDS 为 -60V，VGS 为 ±20V，适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景。该器件采用 Trench 技术，能够在低电压下实现较低的导通电阻（VGS=4.5V 时为 145mΩ，VGS=10V 时为 120mΩ），同时支持高达 -4A 的漏极电流。这些特性使其非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**：VBA4610N
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：SOP8
- **沟道类型**：Dual-P+P（双 P 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：-60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：-1.9V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：145mΩ
- VGS=10V 时：120mΩ
- **漏极电流 (ID)**：-4A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
VBA4610N 的低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池保护电路和电源开关模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，它可以用于电池充放电管理，确保高效能和低功耗。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，VBA4610N 的双 P 沟道设计可以用于 H 桥电路，驱动小型直流电机或步进电机。其高耐压和低导通电阻特性能够有效降低功率损耗，提升电机控制效率。