产品简介："### 型号应用简介

**ZXMP6A17DN8-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款双 P 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。该器件具有低导通电阻和高耐压特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和开关电路。其负电压操作特性使其特别适合在负电压环境中使用，如负电源轨的开关和负载开关应用。

### 产品详细参数说明

- **封装**：SOP8
- **沟道类型**：Dual-P+P（双 P 沟道）
- **VDS（漏源电压）**：-60V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：-1.9V
- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：145 mΩ
- VGS=10V 时：120 mΩ
- **ID（漏极电流）**：-4A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：ZXMP6A17DN8-VB 适用于负电源轨的开关和负载开关应用，如负电压生成电路和负电源轨的开关控制。
- **模块**：可用于 DC-DC 转换器、负电压稳压器和电源分配模块。

2. **电池保护模块**：
- **应用**：在电池保护电路中，该器件可用于防止电池过放电和过充电，特别是在需要负电压操作的场合。
- **模块**：适用于锂电池保护模块和电池管理系统（BMS）。

3. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，ZXMP6A17DN8-VB 可用于控制电机的正反转，特别是在需要负电压驱动的场合。
- **模块**：适用于步进电机驱动模块和直流电机驱动模块。