产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：RJE0617JSP-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：SOP8**
**沟道类型：Dual-P+P**
**VDS（漏源电压）：-60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（阈值电压）：-1.9V**
**VGS=4.5V时RDS(on)：145mΩ**
**VGS=10V时RDS(on)：120mΩ**
**ID（漏极电流）：-4A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

RJE0617JSP-VB是一款由VBsemi生产的双P沟道MOSFET，采用SOP8封装。该器件具有-60V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS）能力，适用于需要高电压和高电流的应用场景。其阈值电压（Vthtyp）为-1.9V，表明该器件在较低的栅极电压下即可开启。在VGS=4.5V时，其导通电阻（RDS(on)）为145mΩ，而在VGS=10V时，导通电阻降低至120mΩ，显示出其在高栅极电压下具有更低的导通损耗。该器件的漏极电流（ID）为-4A，适用于中等电流的应用。采用Trench技术，进一步优化了器件的性能和可靠性。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
RJE0617JSP-VB适用于电源管理模块中的开关电路，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。其低导通电阻和高电压能力使其成为DC-DC转换器、电池保护电路和电源开关的理想选择。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，RJE0617JSP-VB可以用于控制电机的启动、停止和方向切换。其双P沟道设计允许在电机驱动电路中实现双向控制，适用于小型电机、步进电机和伺服电机的驱动。