产品简介："### 型号应用简介

VBA3610N 是 VBsemi 公司推出的一款双 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，具有高电压、低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理、电机驱动和负载开关等应用场景。其低导通电阻和高电流能力使其在紧凑型设计中表现出色，特别适合用于电池供电设备、便携式电子产品和工业控制模块。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: VBA3610N
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: SOP8
- **沟道类型**: Dual-N+N（双 N 沟道）
- **VDS（漏源电压）**: 60V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**: 1.9V
- **导通电阻（RDS(on)）**:
- VGS=4.5V 时：130 mΩ
- VGS=10V 时：110 mΩ
- **ID（漏极电流）**: 4A
- **技术**: Trench（沟槽技术）

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### 应用领域与模块示例

1. **电源管理模块**
VBA3610N 的低导通电阻和高电压能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池保护电路。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，它可以用于电池充电管理模块，提高能量转换效率并减少热量产生。

2. **电机驱动模块**
由于其双 N 沟道设计和高电流能力，VBA3610N 可用于小型电机驱动模块，如无人机、机器人或家用电器中的电机控制。其快速开关特性有助于实现精确的电机速度和方向控制。