产品简介："### 型号应用简介

**AP10NB4R2LH-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高功率密度和高效率的应用场景。

---

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252

- **沟道类型**：Single-N


- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：3V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：7.7mΩ
- VGS=10V 时：6mΩ

- **ID（漏极电流）**：85A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）
---

### 应用领域与模块示例

1. **电源转换模块**
AP10NB4R2LH-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源和开关电源（SMPS）模块。例如，在服务器电源或工业电源中，该器件可以显著降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机控制器或工业电机驱动器，AP10NB4R2LH-VB 的高电流承载能力和快速开关特性能够有效驱动电机并减少发热。

3. **电动汽车（EV）和充电桩**
该器件适用于电动汽车的电池管理系统（BMS）和充电桩中的功率开关模块。其高电压和低导通电阻特性有助于提高充电效率和系统可靠性。