产品简介："### 型号应用简介

**AP10NB5R5H-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，适用于高电流、高效率的电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高电压和高功率环境下稳定工作。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252

- **沟道类型**：Single-N（N 沟道）

- **VDS（漏源电压）**：100V

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（阈值电压）**：3V

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：7.7 mΩ
- VGS=10V 时：6 mΩ

- **ID（漏极电流）**：85A

- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块

1. **工业电源模块**
AP10NB5R5H-VB 适用于工业电源模块中的 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和逆变器。其高电压和高电流特性使其能够处理大功率负载，同时低导通电阻和 SGT 技术确保了高效能和低热损耗。

2. **汽车电子**
在汽车电子领域，该器件可用于电动车的电机驱动、电池管理系统（BMS）和车载充电器（OBC）。其高可靠性和宽温度范围特性使其适合严苛的汽车环境。

3. **消费电子**
适用于大功率消费电子产品，如笔记本电脑适配器、游戏机电源和 LED 驱动电源。其紧凑的 TO252 封装和高效率特性使其成为这些应用的理想选择。