产品简介："### 型号应用简介

**IPD050N10N5-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装。该器件具有 **100V** 的漏源电压（VDS）和 **85A** 的连续漏极电流（ID），适用于高功率和高效率的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
- **沟道类型**：N沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：3V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：7.7mΩ
- VGS=10V：6mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：85A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPD050N10N5-VB 适用于高效率的开关电源和 DC-DC 转换器。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中表现出色，尤其是在需要高功率密度的应用中。
- **模块**：适用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该 MOSFET 适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和低损耗的场合。其高 VDS 和低 RDS(on) 使其在电机控制中能够有效降低功耗，提高系统效率。
- **模块**：适用于电动工具、家用电器和工业电机驱动模块。